상세정보
등록 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법
- 출원번호
- 10166063 (1998.05.30)
- 공개번호
- 11342760 (1999.12.14)
- 등록번호
- 5417275 (2013.11.22)
- 출원국
- 일본
- 협약과제
- 초록
- (57)[要約][目的] トランスファ装置において、スペース的に有利にするとともに、簡単な構成で、且つ、コンパクトにすることにある。[構成] シフトシャフトと平行にコントロールシャフトを配設し、シフト
- KSP 제안 키워드
- Non-Volatile Memory(NVM), memory cell, non-volatile, volatile memory
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법 | 대한민국 | KIPRIS |
| 등록 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터와 유기 강유전체 메모리 박막 트랜지스터로 구성된 투명 비휘발성 메모리 셀의 구조 및 그 제조 방법 | 미국 | |
| 등록 | 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법 | 미국 |