상세정보
등록 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터(ＦＥＴ) 및 그 ＦＥＴ을 구비한 전기전자장치
- 출원번호
- 10-2011-0019643 (2011.03.04) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2011-0116970 (2011.10.26)
- 등록번호
- 10-1439259-0000 (2014.09.02)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 초록
- 본 발명에 의한 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터(FET) 및 그 FET을 구비한 전기전자장치는 열에 의한 FET의 소스-드레인 간 전류 감소 문제를 효과적으로 해결하고, 또한, FET의 온도를 낮출 수 있는 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터(FET) 및 그 FET을 구비한 전기전자장치를 제공한다. 그 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터는 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor: FET); 및 상기 FET의 표면 또는 발열 부분으로 부착되고, 회로적으로는 상기 FET의 게이트 단자에 연결되어 상기 게이트 단자의 전압을 가변시키는 게이트 제어 소자;를 포함하고, 상기 FET이 소정 온도 이상 상승 시에 상기 게이트 가변 소자에 의해 상기 게이트 단자의 전압이 가변되어 상기 FET의 소스-드레인 사이의 채널 전류가 제어된다.
- KSP 제안 키워드
- Field-effect transistors(FETs), field effect, gate field
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 가변게이트 전계효과트랜지스터(FET) 및 그 FET를 구비한 전기전자장치 | 미국 | |
| 등록 | 가변게이트 전계효과트랜지스터(FET) 및 그 FET를 구비한 전기전자장치 | 일본 |