상세정보
등록 수직구조 캐패시터 및 수직구조 캐패시터의 형성 방법
- 출원번호
- 10-2011-0125763 (2011.11.29) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2013-0059673 (2013.06.07)
- 등록번호
- 10-1846388-0000 (2018.04.02)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 초록
- 본 발명은 수직구조 캐패시터 및 수직구조 캐패시터의 형성 방법에 관한 것이다. 수직구조 캐패시터는 반도체 기판의 상부면에 입력 전극과 출력 전극을 형성하고 반도체 기판의 하부면을 식각하여 비아전극들을 형성한 후 상기 비아전극들 사이에 유전체막을 형성하여 수직구조 캐패시터가 기판내에 형성된다. 본 발명에 의하면 수직 구조 캐패시터는 적은 면적에 큰 용량의 캐패시턴스를 갖는 캐패시터를 제작할 수 있다.
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 수직구조 캐패시터 및 수직구조 캐패시터의 형성 방법 | 미국 |