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등록 질화물 전자소자 및 그 제조 방법

질화물 전자소자 및 그 제조 방법
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발명자
배성범, 문재경, 남은수, 김해천, 안호균, 고상춘, 박영락, 장우진, 김성복, 주철원, 임종원
출원번호
10-2012-0018591 (2012.02.23) KIPRIS
공개번호
10-2013-0010823 (2013.01.29)
등록번호
10-1616156-0000 (2016.04.21)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 질화물 전자소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 상세하게는 갈륨(Gallium: Ga), 알루미늄(Aluminum: Al), 인듐(Indium: In) 등의 3족 원소 및 질소를 포함하는 3족 질화물(III-Nitride) 반도체 전자소자에서 사용되는 반절연성 질화갈륨(GaN)층의 재성장 기술(Epitaxially Lateral Over-Growth: ELOG)을 통해 다양한 형태의 질화물 집적구조를 동일 기판 위에 구현할 수 있는 질화물 전자소자및 그 제조 방법에 관한 것이다.
KSP 제안 키워드
III-Nitrides, Over-growth, electronic devices
패밀리
 
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구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 GaN 전자소자의 집적화 및 제조방법 미국