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등록 저항형 메모리 장치 및 그 형성 방법

저항형 메모리 장치 및 그 형성 방법
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발명자
최성율, 김종윤, 정후영
출원번호
10-2013-0103267 (2013.08.29) KIPRIS
공개번호
10-2013-0102523 (2013.09.17)
등록번호
10-1405421-0000 (2014.06.02)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 저항형 메모리 장치를 제공한다. 이 저항형 메모리 장치는 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 저항변화막; 및 상기 저항변화막 상의 상부 전극을 포함하되, 상기 저항변화막은 상기 상부 전극과 반응하여 산화막을 형성할 수 있는 전도성 고분자막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
KSP 제안 키워드
Resistive memory, memory device
패밀리
 
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등록 저항형 메모리 장치 및 그 형성 방법 미국