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등록 이종 회절격자를 가지는 반도체 광소자 및 그 제조방법

이종 회절격자를 가지는 반도체 광소자 및 그 제조방법
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발명자
박경현, 송정호, 김성복, 오광룡
출원번호
10-2002-0007011 (2002.02.07) KIPRIS
공개번호
10-2003-0067142 (2003.08.14)
등록번호
10-0453814-0000 (2004.10.12)
출원국
대한민국
협약과제
01MB4500, 반도체 기반 완전광 3R 재생기 모듈, 박경현
초록
홀로그래피법에 의하여 형성되는 이종 회절격자를 가지는 반도체 광소자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 광소자는 n형 InP 기판과, InP 기판상에 형성되고, 도파층 및 활성층을 포함하는 적층 구조와, InP 기판상에서 적층 구조의 아래에 형성되어 있는 제1 회절격자와, 적층 구조의 위에 형성되어 있는 제2 회절격자를 포함한다. 본 발명에 따른 반도체 광소자의 제조 방법에서는 n형 InP 기판상에서 활성층의 아래에 제1 회절격자를 형성하고, 활성층의 위에 제2 회절격자를 형성한다. 제1 회절격자 및 제2 회절격자는 홀로그라피법을 이용하여 형성된다. 이종 회절격자, 주기성 회절격자, DFB 레이저 다이오드, 홀로그라피
패밀리
 
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구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 이종회절격자를 가진 반도체 광소자 제조방법 및 그에 따른 광소자 응용 미국