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등록 반도체 집적 및 그 제조방법

반도체 집적 및 그 제조방법
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발명자
이형석, 김해천, 이상흥, 김동영, 임종원, 김성일, 민병규, 지홍구, 강동민, 안호균, 배성범, 이종민, 조규준, 김진식, 도재원, 신민정, 장성재, 김정진, 장유진, 정현욱, 윤형섭, 문재경, 장우진
출원번호
16134286 (2018.09.18)
공개번호
20190096782 (2019.03.28)
등록번호
10651107 (2020.05.12)
출원국
미국
협약과제
17HB2400, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
초록
Provided are a semiconductor device and a method for fabricating the same. The semiconductor device includes a heat dissipation plate including a first region and a second region, a first element disposed on the heat dissipation plate in the first region, and a second element disposed on the heat dissipation plate in the second region. The first element includes a first substrate, the second element includes a second substrate, the first substrate includes a material different from a material of the second substrate, the first substrate contacts the heat dissipation plate, and the second element is bonded to the heat dissipation plate in a flip-chip bonding manner.
KSP 제안 키워드
Flip-chip bonding, Heat Dissipation, chip bonding, flip chip, semiconductor device
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