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등록 반도체 집적 및 그 제조방법

반도체 집적 및 그 제조방법
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발명자
이형석, 김해천, 이상흥, 김동영, 임종원, 김성일, 민병규, 지홍구, 강동민, 안호균, 배성범, 이종민, 조규준, 김진식, 도재원, 신민정, 장성재, 김정진, 장유진, 정현욱, 윤형섭, 문재경, 장우진
출원번호
16839964 (2020.04.03)
공개번호
20200235028 (2020.07.23)
등록번호
10784179 (2020.09.22)
출원국
미국
협약과제
17HB2400, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
초록
A method for fabricating a semiconductor device includes sequentially laminating a separation layer and a first substrate layer on a sacrificial substrate, and forming a heat dissipation plate comprising a first region and a second region on the first substrate layer. The method further includes removing the sacrificial substrate and the separation layer, and patterning the first substrate layer to form a first substrate exposing the heat dissipation plate in the second region and contacting the heat dissipation plate in the first region, and forming a first element on the first substrate. The method still further includes forming a plurality of conductive pads disposed on the heat dissipation plate in the second region and a first line connecting at least one of the plurality of conductive pads to the first element, and forming a second element on the conductive pads in the second region.
KSP 제안 키워드
Heat Dissipation, Sacrificial substrate, Separation layer, semiconductor device
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등록 반도체 집적 및 그 제조방법 미국