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상세정보

등록 광 배선 전자소자

광 배선 전자소자
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발명자
이상흥, 강진영, 배현철, 이자열, 유현규, 김상훈
출원번호
10-2007-0057085 (2007.06.12) KIPRIS
공개번호
10-2008-0052232 (2008.06.11)
등록번호
10-0864869-0000 (2008.10.16)
출원국
대한민국
협약과제
06ZB1500, 실리콘-게르마늄 양자채널 나노 신소자 기술, 이상흥
초록
본 발명은 광 배선 전자소자에 관한 것으로, 송수신부, 즉, 광 방출기 및 광 검출기의 구성이 간단한 광 배선 전자소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광 배선 전자소자는 실리콘 기판 상에 형성되는 제1 실리콘칩; 상기 제1 실리콘칩과 연결되도록 상기 실리콘 기판 상에 형성되어, 상기 제1 실리콘칩으로부터의 전기신호를 입력받아 다중 광 신호로 출력하는 광 방출기; 상기 실리콘 기판 상에 상기 광 방출기와 연결되어 상기 다중 광 신호를 감지하여 다중 전기신호로 변환하는 광 검출기; 상기 실리콘 기판 상에서 상기 광 검출기와 연결되어 상기 광 검출기에서 출력되는 상기 다중 전기 신호를 입력받는 제2 실리콘칩; 및 상기 광 방출기와 상기 광 검출기를 연결하는 다중 채널 파이버를 포함하되, 상기 광 방출기는 실리콘-게르마늄 중간층과 상기 실리콘-게르마늄 중간층 상에 형성된 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 전력소모가 적을 뿐만 아니라 소형 칩으로 제작이 가능하며 제조 비용을 절감할 수 있다.