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등록 산화아연박막의 반사방지 처리방법 및 그를 이용한 태양전지 제조방법

산화아연박막의 반사방지 처리방법 및 그를 이용한 태양전지 제조방법
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발명자
윤선진, 이재민, 임정욱, 김준관
출원번호
12909144 (2010.10.21)
공개번호
20110092011 (2011.04.21)
등록번호
8003431 (2011.08.23)
출원국
미국
협약과제
09MB5500, 광캡쳐 구조 반사방지막 및 조성기울기를 갖는 Si/SiGe 박막 태양전지 기술 개발, 윤선진
초록
Provided are a method for antireflection treatment of a zinc oxide film and a method for manufacturing a solar cell using the same. In the anti-reflection treatment, a substrate is prepared, then a polycrystalline zinc oxide film is formed on the substrate. A surface of the polycrystalline zinc oxide film is textured. Here, the roughening of the surface of the polycrystalline zinc oxide film comprises wet-etching the polycrystalline zinc oxide film on the substrate using an etching solution mixed with nitric acid and hydrogen peroxide.
KSP 제안 키워드
Anti-Reflection, Etching solution, Oxide film, Polycrystalline zinc, Solar Cells, Wet etching, Zinc oxide(ZnO), Zinc oxide film, hydrogen peroxide, nitric acid
패밀리
 
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구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 산화아연박막의 반사방지 처리방법 및 그를 이용한 태양전지 제조방법 대한민국 KIPRIS