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등록 저항형 메모리 장치 및 그 제조 방법

저항형 메모리 장치 및 그 제조 방법
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발명자
양용석, 유인규, 노용영, 구재본, 김강대, 정순원
출원번호
10-2010-0043570 (2010.05.10) KIPRIS
공개번호
10-2011-0124022 (2011.11.16)
등록번호
10-1295888-0000 (2013.08.06)
출원국
대한민국
초록
본 발명은 저항형 메모리 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 장치에서는 전자채널층이 스웰링 공정 및 열처리 공정에 의해 형성되므로, 전자채널층 안에 전도성 나노 입자의 분포가 균일하게 형성된다. 이로써 신뢰성이 향상된 저항형 메모리 장치를 제공할 수 있다. 또한, 이 방법에서는 프린팅 공정, 스웰링 공정 및 열처리 공정으로 전자채널층을 형성하므로, 제조 시간을 단축시킬 수 있다.
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등록 유기 메모리 소자 및 제조 방법 미국