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상세정보

등록 화합물 반도체 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법

화합물 반도체 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법
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발명자
이종민, 민병규, 김성일, 남은수, 윤형섭, 이경호
출원번호
10-2008-0123093 (2008.12.05) KIPRIS
공개번호
10-2010-0064588 (2010.06.15)
등록번호
10-1057114-0000 (2011.08.09)
출원국
대한민국
협약과제
08ZB1500, 수요자 중심 화합물 반도체 부품 산업기반 강화, 남은수
초록
화합물 반도체 바이폴라 트랜지스터 및 그 형성방법이 제공된다. 상기 화합물 반도체 바이폴라 트랜지스터는 기판 상의 컬렉터층, 컬렉터층 상의, 상기 컬렉터 층의 일부를 덮는 베이스층, 베이스층 상의, 상기 베이스층의 일부를 덮는 이미터층, 베이스층 상에 접촉된 하부전극, 베이스층 상의 한 쌍의 저항 전극, 하부전극을 덮는 유전막, 및 상기 하부전극과 대향되며, 상기 유전막 상에 배치되는 상부전극을 포함한다.