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상세정보

등록 GaN 전자소자의 집적화 및 제조방법

GaN 전자소자의 집적화 및 제조방법
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발명자
배성범, 문재경, 남은수, 김해천, 안호균, 고상춘, 박영락, 장우진, 김성복, 주철원, 임종원
출원번호
13548522 (2012.07.13)
공개번호
20130020649 (2013.01.24)
등록번호
8723222 (2014.05.13)
출원국
미국
협약과제
11VB1200, 차세대 데이터센터용 에너지절감 반도체 기술, 남은수
초록
The present disclosure relates to a nitride electronic device and a method for manufacturing the same, and particularly, to a nitride electronic device and a method for manufacturing the same that can implement various types of nitride integrated structures on the same substrate through a regrowth technology (epitaxially lateral over-growth: ELOG) of a semi-insulating gallium nitride (GaN) layer used in a III-nitride semiconductor electronic device including Group III elements such as gallium (Ga), aluminum (Al) and indium (In) and nitrogen.
KSP 제안 키워드
Gallium Nitride(GaN), Gallium nitride (gan), Group III elements, III-Nitrides, Integrated structures, Over-growth, Semi-Insulating, electronic devices, nitride semiconductor
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 질화물 전자소자 및 그 제조 방법 대한민국 KIPRIS