ETRI-Knowledge Sharing Plaform

ENGLISH

성과물

특허 검색
구분 출원국
출원년도 ~ 키워드

상세정보

등록 이온 발생용 타깃 및 이를 이용한 치료 장치

이온 발생용 타깃 및 이를 이용한 치료 장치
이미지 확대
발명자
정문연, 표현봉, 김승환, 박형주, 신동호, 이황운, 박선희
출원번호
13737706 (2013.01.09)
공개번호
20130178689 (2013.07.11)
등록번호
8835870 (2014.09.16)
출원국
미국
협약과제
11MC2300, 종양치료용 레이저 이온 가속 시스템 원천 기술 개발, 김승환
초록
Provided is an ion beam treatment apparatus including the target. The ion beam treatment apparatus includes a substrate having a first surface and a second surface opposed to the first surface, and including a cone type hole decreasing in width from the first surface to the second surface to pass through the substrate, wherein an inner wall of the substrate defining the cone type hole is formed of a metal, an ion generation thin film attached to the second surface to generate ions by a laser beam incident into the cone type hole through the first surface and strengthen, and a laser that emits a laser beam to generate ions from the ion generation thin film and project the ions onto a tumor portion of a patient. The laser beam incident into the cone type hole is focused by the cone type hole and is strengthened.
KSP 제안 키워드
Inner wall, Ion Beam, Laser beams, ion beam treatment, thin film(TF)
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 이온 발생용 타깃 및 이를 이용한 치료 장치 대한민국 KIPRIS