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등록 실리콘과 실리콘 게르마늄 이종 구조를 가지는 고전압 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

실리콘과 실리콘 게르마늄 이종 구조를 가지는 고전압 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법
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발명자
조영균, 김종대, 권성구, 이대우, 노태문
출원번호
11182671 (2005.07.15)
공개번호
20060105528 (2006.05.18)
등록번호
7233018 (2007.06.19)
출원국
미국
협약과제
03MB5300, 나노소자기반 회로 설계기술 개발, 김종대
초록
Provided are high voltage metal oxide semiconductor field effect transistor (HVMOSFET) having a Si/SiGe heterojunction structure and method of manufacturing the same. In this method, a substrate on which a Si layer, a relaxed SiGe epitaxial layer, a SiGe epitaxial layer, and a Si epitaxial layer are stacked or a substrate on which a Si layer having a well region, a SiGe epitaxial layer, and a Si epitaxial layer are stacked is formed. For the device having the heterojunction structure, the number of conduction carriers through a potential well and the mobility of the carriers increase to reduce an on resistance, thus increasing saturation current. Also, an intensity of vertical electric field decreases so that a breakdown voltage can be maintained at a very high level. Further, a reduction in vertical electric field due to the heterojunction structure leads to a gain in transconductance (Gm), with the results that a hot electron effect is inhibited and the reliability of the device is enhanced.
KSP 제안 키워드
Breakdown voltage(BDV), Epitaxial layer, Field-effect transistors(FETs), High Voltage, Metal-oxide(MOX), Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET), Oxide semiconductor, Relaxed SiGe, Si layer, Si/SiGe heterojunction, electric field, field effect, heterojunction structure, hot electrons, metal oxide semiconductor, potential well, saturation current, transconductance (gm), vertical electric field
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구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 실리콘과 실리콘 게르마늄 이종 구조를 가지는 고전압 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 대한민국 KIPRIS