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상세정보

등록 나노 층상구조를 가지는 산화물 트렌지스터 및 그 제조방법

나노 층상구조를 가지는 산화물 트렌지스터 및 그 제조방법
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발명자
이수재, 추혜용, 황치선, 유민기, 임상철, 피재은
출원번호
10-2012-0144276 (2012.12.12) KIPRIS
공개번호
10-2014-0076111 (2014.06.20)
등록번호
10-1943077-0000 (2019.01.22)
출원국
대한민국
협약과제
12VB1300, 에너지 절감을 위한 7인치기준 2W급 환경적응 디스플레이 신모드 핵심 원천 기술 개발, 추혜용
초록
본 발명의 실시예에 따른 트렌지스터는 나노층상 구조를 가지는 산화물 반도체층을 포함할 수 있다. 산화물 반도체층은 적어도 하나의 제1 나노층 및 적어도 하나의 제2 나노층을 포함할 수 있다. 제1 나노층 및 제2 나노층은 서로 번갈아가며 적층될 수 있다. 제1 나노층 및 제2 나노층이 서로 다른 물질을 포함함에 따라, 제1 나노층 및 제2 나노층의 계면에서 더 높은 전자 이동도를 가지는 채널이 구현될 수 있다. 본 발명의 트렌지스터는 높은 신뢰도를 가질 수 있다.
KSP 제안 키워드
Nano layer