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등록 반도체 소자 및 그 제조 방법

반도체 소자 및 그 제조 방법
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발명자
이현수, 정동윤, 문재경, 장우진, 배성범, 고상춘, 김정진, 나제호, 김진식, 이형석, 장현규, 전치훈, 남은수, 박영락
출원번호
10-2015-0088941 (2015.06.23) KIPRIS
공개번호
10-2017-0000423 (2017.01.03)
등록번호
10-1878931-0000 (2018.07.10)
출원국
대한민국
협약과제
14MB1200, 스마트 데이터센터용 차세대 광-전 모듈 기술, 남은수
초록
반도체 소자의 제1 질화물 반도체층은 기판 상에 제공되고, 제2 질화물 반도체층은 제1 질화물 반도체층 상에 제공되고, 제1 오믹메탈 및 제2 오믹메탈은 제2 질화물 반도체층 상에 제공되고, 리세스 영역은 제1 오믹메탈과 제2 오믹메탈 사이의 제2 질화물 반도체층 내에 제공되고, 패시베이션층은 제1 오믹메탈의 측면 및 리세스 영역의 하부면과 측면을 덮고, 쇼트키 전극은 제1 오믹메탈 상에 제공되고, 리세스 영역의 내부로 연장된다.
KSP 제안 키워드
semiconductor device