등록
저전력 동작이 가능한 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법
- 발명자
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조성목, 유인규, 류상욱, 이남열, 윤성민, 유병곤, 김귀동
- 출원번호
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10737071 (2003.12.15)
- 공개번호
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20040203183 (2004.10.14)
- 등록번호
- 7026639 (2006.04.11)
- 출원국
- 미국
- 협약과제
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02MB3700, MEMS 기술을 이용한 초전형 적외선 어레이 센서 기반 기술,
유병곤
- 초록
- Provided is a phase-change element capable of operating with low power consumption and a method of manufacturing the same. The phase-change element comprises a first electrode used as a heating layer, a second electrode, which is laterally disposed adjacent to the first electrode, and a memory layer made of a phase-change material located between and contacting the side surfaces of the first electrode and the second electrode.