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상세정보

등록 저전력 동작이 가능한 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법

저전력 동작이 가능한 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법
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발명자
조성목, 유인규, 류상욱, 이남열, 윤성민, 유병곤, 김귀동
출원번호
10737071 (2003.12.15)
공개번호
20040203183 (2004.10.14)
등록번호
7026639 (2006.04.11)
출원국
미국
협약과제
02MB3700, MEMS 기술을 이용한 초전형 적외선 어레이 센서 기반 기술, 유병곤
초록
Provided is a phase-change element capable of operating with low power consumption and a method of manufacturing the same. The phase-change element comprises a first electrode used as a heating layer, a second electrode, which is laterally disposed adjacent to the first electrode, and a memory layer made of a phase-change material located between and contacting the side surfaces of the first electrode and the second electrode.