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등록 초미세 채널을 가지는 MOSFET 소자 및 그 제조 방법

초미세 채널을 가지는 MOSFET 소자 및 그 제조 방법
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발명자
조원주, 이성재, 양종헌, 임기주, 오지훈
출원번호
10-2003-0020478 (2003.04.01) KIPRIS
공개번호
10-2004-0085688 (2004.10.08)
등록번호
10-0509948-0000 (2005.08.17)
출원국
대한민국
협약과제
02MB1400, 실리콘 미래 신소자 원천기술 개발, 이성재
초록
고상 확산법에 의하여 형성된 얕은 확장 영역 및 깊은 접합 영역으로 구성되는 소스/드레인 영역을 갖추고 초미세 채널을 가지는 SOI MOSFET 소자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 MOSFET 소자의 제조 방법에서는 서로 다른 불순물로 도핑된 제1 및 제2 실리콘 산화막을 이용하여 소스/드레인 영역을 구성하는 얕은 확장 영역 및 깊은 접합 영역을 동시에 형성한다. 제2 불순물이 도핑된 제2 실리콘 산화막의 두께 및 식각량을 조절함으로써 소자의 실효 채널 길이를 감소시킬 수 있다. 게이트 전극을 형성하기 전에 소스/드레인 영역을 기판에 미리 형성하므로 채널에서의 불순물 분포의 제어가 용이하다. 소스/드레인 영역의 불순물 활성화 공정이 생략될 수 있으므로 소자의 문턱전압 변동을 방지할 수 있고, 고체 상태에서 불순물을 확산시키기 때문에 기판의 결정 결함이 발생되지 않으며, 따라서 접합을 통한 누설 전류를 줄일 수 있다.
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