상세정보
등록 적외선 흡수층으로 실리콘 산화막을 사용한 적외선 센서및 그 제조 방법
- 출원번호
- 10-2003-0039661 (2003.06.19) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2004-0109999 (2004.12.29)
- 등록번호
- 10-0538996-0000 (2005.12.20)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 02MB3700, MEMS 기술을 이용한 초전형 적외선 어레이 센서 기반 기술, 유병곤
- 초록
- 본 발명은 멤스(MEMS) 공정을 적용한 초전형 적외선 센서에 관한 것으로, 적외선 센서 구조체의 최상부에 위치하는 적외선 흡수층을 실리콘 산화막(SiO2)으로 형성하여 약 8 내지 12㎜ 대역의 적외선 파장에 대하여 뛰어난 흡수 효과를 보이고, 센서 픽셀(pixel)의 보호막 역할을 할 수 있게 한다. 또한, 적외선 흡수층, 지지아암 및 기둥을 일체형으로 형성하여 센서 구조체의 구조를 견고하게 하고, 제작 공정의 단계를 획기적으로 감소시켜 공정 수율을 높인다.
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | Infrared Ray Sensor Using Silicon Oxide Film as Infrared Ray Absorption Layer and Method of Fabricat | 미국 |