상세정보
등록 초미세 채널 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법
- 출원번호
- 10-2003-0042766 (2003.06.27) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2005-0001193 (2005.01.06)
- 등록번호
- 10-0491979-0000 (2005.05.19)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 03MB1400, 실리콘 미래 신소자 원천 기술 개발, 이성재
- 초록
- 초미세 채널 길이를 가지는 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 초미세 채널 전계 효과 트랜지스터는, 입체 구조의 실리콘 와이어 채널 영역, 실리콘 와이어 채널 영역 양측으로 형성된 실리콘 전도층에 의해 마련된 소스/드레인 접합, 실리콘 와이어 채널 영역 상부에 고유전율을 가지는 게이트 절연막을 개재하여 형성된 게이트 전극, 및 소스/드레인 접합에 연결된 소스/드레인 전극을 포함한다. 입체 구조의 실리콘 와이어 채널 영역은 실리콘의 면방향에 따른 식각 속도 차이를 이용하여 사다리꼴 또는 삼각형의 단면을 가지게 형성할 수 있으며, 소스/드레인 접합은 고상 확산법에 의하여 형성함으로써 후속 공정의 열처리 온도를 낮출 수 있다. 이렇게 제조된 전계 효과 트랜지스터는 접합을 통한 누설 전류를 줄일 수 있고 소비 전력의 감소와 소자 신뢰성의 확보가 동시에 달성되며 고집적할 수 있다.
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 초미세 채널 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법 | 미국 |