상세정보
등록 다중게이트 모스 트랜지스터 및 그 제조 방법
- 출원번호
- 10-2004-0037571 (2004.05.25) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2005-0112471 (2005.11.30)
- 등록번호
- 10-0532564-0000 (2005.11.24)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 03MB5300, 나노소자기반 회로 설계기술 개발, 김종대
- 초록
- 본 발명은 다중 게이트 모스 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 단결정 실리콘 패턴의 형태와 실리콘의 결정 방향에 따른 열산화 속도 차이를 이용하여 유선(∩) 형태의 채널, 점차 증가하는 형태의 확장 영역 및 상승된 구조의 소스 및 드레인을 구현한다. 채널이 유선(∩) 형태로 형성됨으로써 전계의 집중으로 인한 소자의 신뢰성 저하가 방지되며, 채널의 상부와 양 측벽이 게이트 전극으로 둘러싸여지기 때문에 게이트 전압에 의한 전류 구동 능력이 우수해진다. 또한, 크기가 증가된 확장 영역으로 인해 전류 밀집 현상이 방지되며, 상승된 소스 드레인 구조에 의해 소스 및 드레인 직렬 저항이 감소되어 전류 구동 능력이 증대된다.
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
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| 등록 | 다중게이트 모스구조와 그 제조방법 | 미국 | |
| 등록 | 다중게이트 모스 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 미국 |