상세정보
등록 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법
- 출원번호
- 10-2004-0077206 (2004.09.24) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2006-0028158 (2006.03.29)
- 등록번호
- 10-0574297-0000 (2006.04.20)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 04MB1400, 실리콘 미래 신소자 원천 기술개발, 이성재
- 초록
- 본 발명은 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 측벽 스페이서(sidewall spacer) 형성 기술을 이용하고 박막의 증착 두께 조절을 통해 초미세 채널 길이를 가지는 전계효과 트랜지스터를 형성한다. 본 발명의 전계효과 트랜지스터는 소스와 드레인의 접합 깊이가 얕고, 소스와 게이트 그리고 드레인과 게이트의 중첩이 방지되어 기생저항이 낮다. 또한, 게이트 전계가 드레인 확장영역에 쉽게 유기되기 때문에 드레인측 채널에서의 캐리어 농도가 효과적으로 제어되며, 특히 드레인 확장영역이 소스 접합보다 얕게 형성되기 때문에 단채널 특성이 우수하다.