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Detail
Registered 실리콘과 실리콘 게르마늄 이종 구조를 가지는 고전압 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법
- Inventors
- Cho Young Kyun, Kim Jongdae, Roh Tae Moon, Kwon Sung-Ku, Lee Dae Woo
- Application No.
- 10-2004-0094283 (2004.11.17) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2006-0054991 (2006.05.23)
- Registration No.
- 10-0592749-0000 (2006.06.16)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 03MB5300, Development of semiconductor circuit design based on the nano-scaled device, Kim Jongdae
- Abstract
- 본 발명은 실리콘/실리콘 게르마늄 이종 구조를 가지는 고전압 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘층, 이완된 실리콘 게르마늄 에피층, 실리콘 게르마늄 에피층 및 실리콘 에피층이 적층된 기판 또는 웰이 형성된 실리콘층, 실리콘 게르마늄 에피층 및 실리콘 에피층이 적층된 기판을 제조한다. 이종접합 구조를 갖는 소자는 전위 우물을 통한 전도 캐리어와 전자 및 홀의 이동도가 증가되어 온 저항이 감소되므로 포화 전류의 크기를 증가시킬 수 있으며, 수직 방향의 전기장의 크기를 감소시킬 수 있어 더욱 높은 항복전압을 유지할 수 있다. 또한, 이종접합을 통한 수직 방향의 전기장이 감소함에 따라 보다 큰 transconductance(Gm) 값을 얻을 수 있으므로 고온 전자 현상이 방지되고 소자의 신뢰성이 향상된다.
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | HIGH VOLTAGE MOSFET HAVING Si/SiGe HETEROJUNCTION STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME | UNITED STATES |