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상세정보

등록 실리콘 나노결정 구조를 포함하는 실리콘 질화물 박막 및 이를 이용한 발광소자

발명자
김태엽, 김경현, 박래만, 성건용
출원번호
2007-540254 (2007.05.07)
등록번호
4790723 (2011.07.29)
출원국
일본
KSP 제안 키워드
Nitride film, Silicon Nitride, Silicon nanocrystals(Si NCs), Silicon nitride film, light-emitting, light-emitting diode(LED)
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 발광 소자용 실리콘 질화막, 이를 이용한 발광 소자 및 발광 소자용 실리콘 질화막의 제조방법 대한민국 KIPRIS
등록 실리콘 나노결정 구조를 포함하는 실리콘 질화물 박막 및 이를 이용한 발광소자 미국