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등록 상 변화 물질을 이용한 전자 소자, 상 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법

상 변화 물질을 이용한 전자 소자, 상 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법
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발명자
이승윤, 유병곤, 정순원, 윤성민, 박영삼
출원번호
08314478 (1996.11.26)
공개번호
10151947 (1998.06.09)
등록번호
5142397 (2012.11.30)
출원국
일본
초록
(57)[要約][課題] ウェザーストリップを装着するための切り起こし爪のスプリングバックの発生を的確に防止して長期耐用できる自動車用ドアトリムを提供すること。[解決手段] ドアトリム本体1のガーニッシュ先端部にウ
KSP 제안 키워드
Electrical devices, Phase Change Material(PCM), Phase change, Solid state reaction, memory device, solid state
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 상 변화 물질을 이용한 전자 소자, 상 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법 미국
등록 고상 반응을 이용하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법 미국