ETRI-Knowledge Sharing Plaform

ENGLISH

성과물

특허 검색
구분 출원국
출원년도 ~ 키워드

상세정보

등록 고상 반응을 이용하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법

고상 반응을 이용하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법
이미지 확대
발명자
이승윤, 유병곤, 정순원, 윤성민, 박영삼
출원번호
13110579 (2011.05.18)
공개번호
20110223716 (2011.09.15)
등록번호
8470719 (2013.06.25)
출원국
미국
초록
Provided are a nonvolatile memory device and a method of fabricating the same, in which a phase-change layer is formed using a solid-state reaction to reduce a programmable volume, thereby lessening power consumption. The device includes a first reactant layer, a second reactant layer formed on the first reactant layer, and a phase-change layer formed between the first and second reactant layers due to a solid-state reaction between a material forming the first reactant layer and a material forming the second reactant layer. The phase-change memory device consumes low power and operates at high speed.