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등록 상변화 메모리 소자를 이용한 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 및 그 제조 방법

상변화 메모리 소자를 이용한 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 및 그 제조 방법
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발명자
윤성민, 유병곤, 정순원, 이준석, 이승윤, 박영삼
출원번호
12428628 (2009.04.23)
공개번호
20100108977 (2010.05.06)
등록번호
8445887 (2013.05.21)
출원국
미국
초록
A nonvolatile programmable switch device using a phase-change memory device and a method of manufacturing the same are provided. The switch device includes a substrate, a first metal electrode layer disposed on the substrate and including a plurality of terminals, a phase-change material layer disposed on the substrate and having a self-heating channel structure, the phase-change material layer having a plurality of introduction regions electrically contacting the terminals of the first metal electrode layer and a channel region interposed between the introduction regions, an insulating layer disposed on the first metal electrode layer and the phase-change material layer, a via hole disposed on the first metal electrode layer, and a second metal electrode layer disposed to fill the via hole. The switch device performs memory operations using resistive heating of a phase-change material without an additional heater electrode, thereby minimizing thermal loss due to thermal conductivity of a metal electrode to reduce power consumption of the switch device.