상세정보
등록 광배선 소자
- 출원번호
- 10-2008-0120191 (2008.11.29) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2010-0061606 (2010.06.08)
- 등록번호
- 10-1042708-0000 (2011.06.13)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 08ZB1300, 실리콘-게르마늄 양자채널 나노 신소자 기술 연구, 이상흥
- 초록
- 광배선 소자가 제공된다. 상기 광배선 소자는 소이(SOI: Silicon-On-Insulator) 기판 상에 배치된 제 1 반도체 칩, 소이 기판 상에, 상기 제 1 반도체 칩으로부터 전기 신호를 입력받아 광신호를 출력하는 광방출기, 소이 기판 상에, 상기 광신호를 감지하여 전기 신호로 변환하는 광검출기, 및 소이 기판 상에, 상기 광검출기로부터 전기 신호를 입력받는 제 2 반도체 칩을 포함한다.
- KSP 제안 키워드
- Silicon On Insulator(SOI)