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등록 보론이 도핑된 산화물 반도체 박막을 적용한 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법

보론이 도핑된 산화물 반도체 박막을 적용한 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
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발명자
정우석, 황치선, 유민기, 정승묵, 추혜용
출원번호
10-2008-0129691 (2008.12.18) KIPRIS
공개번호
10-2010-0070937 (2010.06.28)
등록번호
10-1343570-0000 (2013.12.13)
출원국
대한민국
협약과제
08MB2100, 투명전자 소자를 이용한 스마트 창, 조경익
초록
본 발명은 보론이 도핑된 산화물 반도체 박막이 적용된 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이고, 본 발명에 따른 보론이 도핑된 산화물 반도체 박막을 채널층으로 적용한 박막 트랜지스터는 전기적 특성을 획기적으로 향상시킬 수 있으며, 고온에서의 안정성을 크게 증가시킨다.
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