상세정보
등록 네가티브 광전도 특성을 갖는 게르마늄 단결정 박막의 성장법 및 이를 이용한 광검출기
- 출원번호
- 10-2009-0025685 (2009.03.26) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2010-0063607 (2010.06.11)
- 등록번호
- 10-1213228-0000 (2012.12.11)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 08MB1600, 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC, 김경옥
- 초록
- 본 발명은 네가티브 광전도 특성을 갖는 게르마늄 단결정 박막의 성장법 및 이를 이용한 광검출기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 게르마늄 단결정 박막의 성장법은 감압 화학기상증착법(RPCVD)을 이용하여, 실리콘 기판 상에 저온에서 게르마늄 박막을 성장시키는 단계; 승온시키면서 게르마늄 박막을 성장시키는 단계; 및 고온에서 게르마늄 박막을 성장시키는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 3단계 성장법은 실리콘 기판 상에 응력이 완화되고 낮은 침투 전위 밀도를 가지면서도 표면 거칠기가 매끄러운 우수한 특성의 게르마늄 단결정 박막을 얻을 수 있다.
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 네가티브 광전도 특성을 갖는 게르마늄 단결정 박막의 성장법 및 이를 이용한 광검출기 | 미국 |