상세정보
등록 반도체 소자 및 그 형성 방법
- 출원번호
- 10-2009-0083600 (2009.09.04) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2011-0025500 (2011.03.10)
- 등록번호
- 10-1243836-0000 (2013.03.08)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 09MR6700, 테라헤르츠대역 전파 환경 및 무선 전송 플랫폼 기술 연구, 정태진
- 초록
- 반도체 소자 및 그 형성 방법이 제공된다. 상기 반도체 소자는 기판, 기판 상에 배치되 게이트 전극의 양 측벽 상에 각각 배치된 제1 보이드 영역 및 제2 보이드 영역을 포함하고, 상기 게이트 전극의 양 측벽 상에 배치된 비대칭 보이드 영역으로 인해 특성이 우수한 반도체 소자가 제공될 수 있다.
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 전계효과트랜지스터의 제조 방법 | 미국 |