상세정보
등록 애벌런치 광다이오드 및 그 형성방법
- 출원번호
- 10-2010-0108685 (2010.11.03) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2012-0047042 (2012.05.11)
- 등록번호
- 10-1371401-0000 (2014.03.03)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 09MB2500, FTTH 고도화 광부품 기술개발, 오대곤
- 초록
- 애벌런치 광다이오드 및 그 형성방법이 제공된다. 애벌런치 광다이오드의 형성방법은 엔형 기판 상에 화합물 반도체 흡수층, 화합물 반도체 그래이딩층, 차아지 시트층, 화합물 반도체 증폭층, 선택적 습식 식각층 및 피형 전극층을 유기 금속 화학 기상 증착 방법으로 순차적으로 형성하는 것을 포함한다.
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 애벌런치 포토다이오드 및 제조 방법 | 미국 | |
| 등록 | 애벌런치 광다이오드 및 그 형성 방법 | 미국 |