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Registered MEMORY CELL AND MEMORY DEVICE USING THE SAME

메모리 셀 및 이를 이용한 메모리 장치
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Inventors
Kim Byeonghoon, Chunwon Byun, Yoon Sung Min, Park Sang-Hee, Ryu Min Ki, Yang Shinhyuk, Cho Kyoung Ik, Hwang Chi-Sun
Application No.
10-2010-0116736 (2010.11.23) KIPRIS
Publication No.
10-2012-0055173 (2012.05.31)
Registration No.
10-1783933-0000 (2017.09.26)
Country
KOREA
Project Code
10MB3200, Smart window with transparent electronic devices, Cho Kyoung Ik
Abstract
강유전체 트랜지스터, 강유전체 트랜지스터와 전기적으로 결합된 복수의 스위칭 소자, 및 복수의 스위칭 소자를 제어하기 위한 각각의 제어 신호를 각각의 스위칭 소자에게 전달하기 위한 복수의 제어 라인을 포함하고, 강유전체 트랜지스터의 각 전극이 플로팅(floating)되지 않도록, 복수의 스위칭 소자가 각각의 제어 신호에 기초하여 개별적으로 제어되도록 구성되는 메모리 셀이 제공된다.
KSP Keywords
memory cell, memory device
Family
 
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Status Patent Country KIPRIS
Registered MEMORY CELL AND MEMORY DEVICE USING THE SAME UNITED STATES