상세정보
등록 실리콘 나노선 기반의 열전소자 및 그 제조 방법
- 출원번호
- 10-2010-0139451 (2010.12.30) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2012-0077487 (2012.07.10)
- 등록번호
- 10-1864211-0000 (2018.05.29)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 10ZE1100, ETRI 연구역량 강화를 위한 R&D체계 구축 및 Seed형 기술개발을 위한 창의형 연구 사업, 현창희
- 초록
- 본 발명은 실리콘 나노선 기반의 열전소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판; 상기 기판 상부에 형성되어, 열을 흡수하는 실리콘 열흡수부, 열을 전달하는 실리콘 나노선 레그, 열을 방출하는 실리콘 열방출부; 및 상기 실리콘 열흡수부, 상기 실리콘 나노선 레그, 상기 실리콘 열방출부를 포함하는 기판 상부에 형성되고, 적어도 하나 이상의 홀을 포함하는 절연막을 포함한다.
- KSP 제안 키워드
- Manufacturing method, Silicon nanowires(SiNWs), Thermoelectric device