상세정보
등록 아발란치 포토다이오드의 제조방법
- 출원번호
- 10-2010-0130537 (2010.12.20) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2012-0069127 (2012.06.28)
- 등록번호
- 10-1695700-0000 (2017.01.06)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 10ZB1100, 융.복합부품 핵심기술 연구, 남은수
- 초록
- 본 발명은 아발란치 포토다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 제조방법은, 기판의 전면에 광흡수층, 그래이딩층, 전기장완충층 및 증폭층을 순차적으로 성장시켜 에피탁시 웨이퍼(Epitaxy wafer)를 형성하는 단계; 상기 증폭층 상에 확산조절층을 형성하는 단계; 상기 확산조절층 상에 확산조절층을 보호하는 보호층을 형성하는 단계; 상기 보호층에서부터 상기 증폭층의 소정 깊이까지 에칭하여 에칭부를 형성하는 단계; 상기 보호층을 패터닝하여 제1패터닝부를 형성하는 단계; 상기 에칭부 및 상기 제1패터닝부에 확산물질을 확산시켜 상기 증폭층에 접합영역과 가드링영역을 형성하는 단계; 상기 확산조절층 및 상기 보호층을 제거하고, 상기 증폭층 상에 상기 접합영역과 연결되는 제1전극을 형성하는 단계; 및 상기 기판의 후면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이와 같은 본 발명은 재현성이 확보되고 신뢰성이 우수한 아발란치 포토다이오드를 제공할 수 있다.
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 아발란치 포토 다이오드의 제조방법 | 미국 |