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Detail
Registered Field-Effect Transistor and Manufacturing Method Thereof
- Inventors
- Hokyun Ahn, Jong-Won Lim, Hyung Sup Yoon, Lee Sang-Heung, Hae Cheon Kim, Eun Soo Nam, Min Byoung-Gue
- Application No.
- 10-2010-0130291 (2010.12.17) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2012-0068599 (2012.06.27)
- Registration No.
- 10-1775560-0000 (2017.08.31)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 10ZB1100, Development support for customer-based convergence components, Eun Soo Nam
- Abstract
- 본 발명은 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 반도체 기판 상부에 소스, 드레인 및 게이트 전극을 형성하는 주요 전극 형성 단계; 상기 소스, 드레인 및 게이트 전극을 포함하는 반도체 기판 상부에 절연막을 증착하는 절연막 증착 단계; 상기 절연막 상부에 다층의 감광막을 증착하고 패터닝하여 개구부의 노출층이 서로 다른 다층의 전계전극 패턴을 형성하는 전계전극 패턴 형성 단계; 상기 전계전극 패턴을 식각마스크로 이용한 절연막 식각 공정을 수행하여 서로 다른 단차를 가지는 절연막을 형성하는 절연막 식각 단계; 및 상기 전계전극 패턴을 이용하여 금속층을 증착하고, 리프트 오프 (Lift-off) 공정을 수행하여 상기 서로 다른 단차를 가지는 절연막 상부에 전계전극을 형성하는 전계전극 형성 단계를 포함한다.
- KSP Keywords
- Field-effect transistors(FETs), Manufacturing method, field effect, lift-off
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | UNITED STATES |