상세정보
등록 질화물 전자소자 및 그 제조 방법
- 출원번호
- 10-2012-0018591 (2012.02.23) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2013-0010823 (2013.01.29)
- 등록번호
- 10-1616156-0000 (2016.04.21)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 11VB1200, 차세대 데이터센터용 에너지절감 반도체 기술, 남은수
- 초록
- 본 발명은 질화물 전자소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 상세하게는 갈륨(Gallium: Ga), 알루미늄(Aluminum: Al), 인듐(Indium: In) 등의 3족 원소 및 질소를 포함하는 3족 질화물(III-Nitride) 반도체 전자소자에서 사용되는 반절연성 질화갈륨(GaN)층의 재성장 기술(Epitaxially Lateral Over-Growth: ELOG)을 통해 다양한 형태의 질화물 집적구조를 동일 기판 위에 구현할 수 있는 질화물 전자소자및 그 제조 방법에 관한 것이다.
- KSP 제안 키워드
- III-Nitrides, Over-growth, electronic devices
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | GaN 전자소자의 집적화 및 제조방법 | 미국 |