상세정보
등록 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법
- 출원번호
- 10-2012-0062664 (2012.06.12) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2013-0031771 (2013.03.29)
- 등록번호
- 10-1596079-0000 (2016.02.15)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 11VB1200, 차세대 데이터센터용 에너지절감 반도체 기술, 남은수
- 초록
- 별도의 리소그라피 공정과 그에 따른 추가적인 공정 단계 없이 전계 전극을 형성함으로써 제조 비용을 낮추고 소자의 안정성 및 생산성을 향상시킬 수 있는 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의한 전계효과 트랜지스터의 제조 방법은, 기판 상에 활성층, 캡층, 오믹 금속층 및 절연막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 다층의 감광막을 형성하는 단계; 상기 다층의 감광막을 패터닝하여 게이트 전극을 위한 제 1 개구부 및 전계 전극을 위한 제 2 개구부를 포함하는 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 절연막을 식각하되, 상기 제 1 개구부를 통해 상기 캡층이 노출되도록 상기 제 1 개구부 내의 절연막을 더욱 깊게 식각하는 단계; 상기 제 1 개구부를 통해 절연막이 식각되어 노출된 캡층을 식각하여 게이트 리쎄스 영역을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 리쎄스 영역과, 상기 식각된 절연막 상에 금속을 증착하여 게이트-전계 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
- KSP 제안 키워드
- Fabrication method, Field-effect transistors(FETs), field effect