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상세정보

등록 질화물계 소자의 티형 게이트 전극 형성 방법

발명자
임종원, 안호균, 문재경, 장우진, 이상흥, 윤형섭, 주철원, 강동민, 배성범, 박영락, 남은수, 김성일
출원번호
14/555182 (2014.11.26)
등록번호
9209266 (2015.12.08)
출원국
미국
협약과제
11ZB1100, 융.복합부품 핵심기술 연구, 남은수
KSP 제안 키워드
High electron, High electron mobility, High electron mobility transistor(HEMT), Manufacturing method, electron mobility