상세정보
등록 저전압 고이득 고속 광 검출기 및 그의 제조방법
- 출원번호
- 10-2013-0061169 (2013.05.29) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2014-0025270 (2014.03.04)
- 등록번호
- 10-1705725-0000 (2017.02.06)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 12VB1600, 실리콘 나노포토닉스 기반 차세대 컴퓨터 칩기술, 김경옥
- 초록
- 본 발명은 반도체 광검출기에서 상대적으로 낮은 전압을 인가하면서도, 높은 이득을 성취하여, 수신감도를 증가시키고, 고속 특성을 가질 수 있는 실리콘 기판 기반의 게르마늄 반도체 광검출기를 제공한다. 실리콘 기판상에 게르마늄 기반의 증폭 층, 즉 단일 게르마늄 층이나 게르마늄/실리콘 초격자층을 적용하고, 그 상부에 게르마늄 챠지 층을 적용하며, 상기 챠지 층 상에 게르마늄 광 흡수 층을 적용하고, 상기 광흡수층 상의 폴리실리콘 제2 콘택 층을 적용한다. 또한 여기서 광흡수층은 게르마늄 양자점/양자선 층을 적용할 수도 있다.
- KSP 제안 키워드
- Germanium photodetector, High Speed, high gain, low voltage, photo detector
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 저전압 고이득 고속 광 검출기 및 그의 제조방법 | 미국 | |
| 등록 | 저전압 고이득 고속 광 검출기 및 그의 제조방법 | 프랑스 |