상세정보
등록 트랜지스터 및 그 제조 방법
- 출원번호
- 10-2012-0143702 (2012.12.11)
- 공개번호
- 10-2014-0075946 (2014.06.20)
- 등록번호
- 10-1923959-0000 (2018.11.26)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 12ZB1100, 융?복합부품 핵심기술 연구, 남은수
- 초록
- 고전자 이동도 트랜지스터가 제공된다. 이 트랜지스터는 기판 상에 서로 이격되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극, 소스 전극과 드레인 전극 사이의 기판 상에 배치된 T형 게이트 전극, 및 기판과 T형 게이트 전극 사이에 개재된 복수의 절연막들을 포함한다. 복수의 절연막들은 제 1 절연막, 제 2 절연막 및 제 3 절연막으로 구성된다. T형 게이트 전극의 다리부에 접하도록 제 3 절연막이 기판과 T형 게이트 전극의 머리부 사이에 개재되고, 제 3 절연막에 접하도록 제 2 절연막이 기판과 T형 게이트 전극의 머리부 사이에 개재되고, 그리고 제 2 절연막에 접하도록 순차적으로 적층된 제 1 절연막 및 제 3 절연막이 기판과 T형 게이트 전극의 머리부 사이에 개재된다.
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 미국 |