상세정보
등록 질화물계 반도체소자의 게이트 제조 방법
- 출원번호
- 13914713 (2013.06.11)
- 공개번호
- 20140167175 (2014.06.19)
- 등록번호
- 9224830 (2015.12.29)
- 출원국
- 미국
- 협약과제
- 12ZB1100, 융?복합부품 핵심기술 연구, 남은수
- 초록
- A field effect transistor is provided. The transistor may include a source electrode and a drain electrode provided spaced apart from each other on a substrate and a ‘+’-shaped gate electrode provided on a portion of the substrate located between the source and drain electro
- KSP 제안 키워드
- Drain electrode, Field-effect transistors(FETs), Source and drain, field effect, gate electrode
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 대한민국 | KIPRIS |