상세정보
등록 웨이퍼 본딩을 사용한 수직 공진형 표면 방출 레이저 구조 및 제작 방법
- 출원번호
- 14195778 (2014.03.03)
- 공개번호
- 20140348194 (2014.11.27)
- 등록번호
- 9118160 (2015.08.25)
- 출원국
- 미국
- 협약과제
- 13VB1800, 실리콘 나노포토닉스 기반 차세대 컴퓨터 칩기술, 김경옥
- 초록
- Provided is a vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL). The VCSEL includes a silicon substrate, a lower reflective layer disposed on the silicon substrate, a light generation laser disposed on the lower reflective layer, and an upper reflective layer disposed on the light generation layer. The lower reflective layer, the light generation layer, and the upper reflective layer may include a III-V semiconductor light source-active layer monolithically integrated on a first impurity layer by wafer bonding.
- KSP 제안 키워드
- Active Layer, III-V, III-V Semiconductor, Impurity layer, Light sources, Manufacturing method, Silicon substrate, Surface-emitting laser, Wafer Bonding, monolithically integrated, vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL)
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 수직공진 표면방출 레이저 및 그의 제조방법 | 대한민국 |