ETRI-Knowledge Sharing Plaform

ENGLISH

성과물

특허 검색
구분 출원국
출원년도 ~ 키워드

상세정보

등록 질화물 반도체의 제조 방법 및 이를 이용한 전력 반도체 소자의 제조 방법

질화물 반도체의 제조 방법 및 이를 이용한 전력 반도체 소자의 제조 방법
이미지 확대
발명자
배성범, 김성복, 문재경, 고상춘, 박영락, 나제호, 장우진, 전치훈, 문석환
출원번호
10-2013-0152420 (2013.12.09) KIPRIS
공개번호
10-2015-0066853 (2015.06.17)
등록번호
10-1695306-0000 (2017.01.05)
출원국
대한민국
협약과제
13VB1700, 차세대 데이터센터용 에너지절감 반도체 기술, 남은수
초록
본 발명은 질화물 반도체의 제조 방법에 관한 것으로, 반응기 내에 기판을 준비하는 것 및 상기 기판 상에 에피층을 형성하는 것을 포함하고, 상기 에피층을 형성하는 것은 펄스 플로우 성장법을 수행하는 것을 포함하되, 상기 펄스 플로우 성장법은 상기 기판 상에 5족 소스 물질을 공급하는 것 및 상기 기판 상에 3족 소스 물질을 공급하는 것을 포함하고, 상기 5족 및 3족 소스 물질들은 상기 반응기 내에 교대로 공급되되, 상기 5족 소스 물질은 히드라진(hydrazine) 계열의 물질을 포함하는 질화물 반도체의 제조 방법에 제공된다.
KSP 제안 키워드
Power semiconductor, nitride semiconductor, power semiconductor devices, semiconductor device