상세정보
등록 질화물 반도체의 제조 방법 및 이를 이용한 전력 반도체 소자의 제조 방법
- 출원번호
- 10-2013-0152420 (2013.12.09) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2015-0066853 (2015.06.17)
- 등록번호
- 10-1695306-0000 (2017.01.05)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 13VB1700, 차세대 데이터센터용 에너지절감 반도체 기술, 남은수
- 초록
- 본 발명은 질화물 반도체의 제조 방법에 관한 것으로, 반응기 내에 기판을 준비하는 것 및 상기 기판 상에 에피층을 형성하는 것을 포함하고, 상기 에피층을 형성하는 것은 펄스 플로우 성장법을 수행하는 것을 포함하되, 상기 펄스 플로우 성장법은 상기 기판 상에 5족 소스 물질을 공급하는 것 및 상기 기판 상에 3족 소스 물질을 공급하는 것을 포함하고, 상기 5족 및 3족 소스 물질들은 상기 반응기 내에 교대로 공급되되, 상기 5족 소스 물질은 히드라진(hydrazine) 계열의 물질을 포함하는 질화물 반도체의 제조 방법에 제공된다.
- KSP 제안 키워드
- Power semiconductor, nitride semiconductor, power semiconductor devices, semiconductor device