ETRI-Knowledge Sharing Plaform

ENGLISH

성과물

특허 검색
구분 출원국
출원년도 ~ 키워드

상세정보

등록 질화물계 반도체소자의 게이트 제조 방법

질화물계 반도체소자의 게이트 제조 방법
이미지 확대
발명자
김성일, 임종원, 윤형섭, 강동민, 안호균, 이상흥, 민병규
출원번호
14328247 (2014.07.10)
공개번호
20150236108 (2015.08.20)
등록번호
9166011 (2015.10.20)
출원국
미국
협약과제
13ZB1100, 스마트 융.복합 IT부품소재 기술개발, 남은수
초록
Disclosed are a semiconductor device having a stable gate structure, and a manufacturing method thereof, in which a gate structure is stabilized by additionally including a plurality of gate feet under a gate head in a width direction of the gate head so as to serve as supporters in a gate structure including a fine gate foot having a length of 0.2 μm or smaller, and the gate head having a predetermined size. Accordingly, it is possible to prevent the gate electrode of the semiconductor device from collapsing, and improve reliability of the semiconductor device during or after the process of the semiconductor device.
KSP 제안 키워드
Gate Foot, Manufacturing method, gate electrode, semiconductor device
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 안정화된 게이트 구조를 갖는 반도체 소자 및 그의 제조 방법 대한민국 KIPRIS