상세정보
등록 전계흡수 광변조 소자 및 그 제조 방법
- 출원번호
- 10-2015-0006866 (2015.01.14) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2016-0087960 (2016.07.25)
- 등록번호
- 10-2163885-0000 (2020.10.05)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 14MB1300, 실리콘 나노포토닉스 기반 차세대 컴퓨터 인터페이스 플랫폼 원천기술 개발, 김경옥
- 초록
- 본 발명은 기존의 광도파로 및 광변조기에 사용되던 SOI (silicon-on-insulator) 웨이퍼를 대신하여, 벌크 실리콘 웨이퍼를 사용하여 CMOS (complementary metal oxide semiconductor) 공정 및 열산화막(thermal oxide) 형성 공정을 이용함으로써 실리콘 산화물을 클래딩으로 하고 실리콘을 코어로 하는 광도파로 및 광도파로 상에 집적되는 광변조부를 포함하는 광변조기를 제공하고 그 제조방법을 제시한다.
- KSP 제안 키워드
- Complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS), Electro-absorption, Metal-oxide(MOX), Oxide semiconductor, Silicon On Insulator(SOI), Thermal oxide, metal oxide semiconductor, optical modulation