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등록 질화물계 수직형 트랜지스터 구조 및 제조방법

질화물계 수직형 트랜지스터 구조 및 제조방법
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발명자
안호균, 신민정, 김정진, 장성재, 도재원, 김해천, 민병규, 조규준, 이형석, 정현욱, 윤형섭, 임종원, 이종민, 강동민, 지홍구, 김성일, 이상흥, 김동영
출원번호
16137235 (2018.09.20)
공개번호
20190103483 (2019.04.04)
등록번호
10608102 (2020.03.31)
출원국
미국
협약과제
17HB2400, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
초록
Provided is a semiconductor device including a substrate in which an insulation layer is disposed between a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, a through-hole penetrating through the substrate, the through-hole having a first hole penetrating through the first semiconductor layer and a second hole penetrating through the insulation layer and the second semiconductor layer from a bottom surface of the first hole, an epi-layer disposed inside the through-hole, a drain electrode disposed inside the second hole and contacting one surface of the epi-layer, and a source electrode and a gate electrode which are disposed on the other surface of the epi-layer.
KSP 제안 키워드
Bottom surface, Drain electrode, Insulation layer, gate electrode, semiconductor device, through-holes
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 반도체 소자 및 그의 제조 방법 대한민국 KIPRIS