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강동민
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RF/전력부품연구실
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이동통신 소자/부품, 위성통신 소자/부품
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학술대회
2021 Analysis of Temperature Characteristics of Gate Channels by DC Bias Conditions for Large-Size GaN FET Modeling   장우진   International Conference on Consumer Electronics (ICCE) 2021 : Asia, pp.398-392
학술대회
2021 Design of A Ka-Band High Efficiency Power Amplifier MMIC Based on GaN HEMT Technology for 5G Base Station   안현배   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2021, pp.634-635
학술지
2021 Thermal Behavior of an AlGaN/GaN-based Schottky Barrier Diode on Diamond and Silicon Substrates   김진식   Journal of Nanoscience and Nanotechnology, v.21 no.8, pp.4429-4435 원문
학술대회
2021 GaN HEMT 대면적 소자 모델링을 위한 DC 바이어스 조건에 따른 게이트 채널 위치별 발생 온도 특성 분석   장우진   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.315-319
학술대회
2021 28 GHz 대역 5G 기지국용 GaN 저잡음 증폭기 MMIC 설계   안현배   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.2557-2560
학술대회
2020 열 분산 효과를 이용한 GaN 대면적 FET 모델 정확도 향상   장우진   대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2020, pp.148-149
학술대회
2020 SiGe HBT 소자를 이용하여 제작된 94 GHz 동작을 위한 믹서 MMIC의 특성   이종민   대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2020, pp.209-210
학술지
2020 E-band Low-noise Amplifier MMIC with Impedance-controllable Filter using SiGe 130-nm BiCMOS Technology   장우진   ETRI Journal, v.42 no.5, pp.781-789 0 원문
학술대회
2020 W-band MMIC Down-Converter with Image Signal Rejection Using 0.1 m GaAs MHEMT Technology   장우진   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2020, pp.224-227
학술지
2020 W-Band MMIC Chipset in 0.1-μm mHEMT Technology   이종민   ETRI Journal, v.42 no.4, pp.549-561 0 원문
학술대회
2020 선택적인 내부 비활성 영역을 갖는 AlGaN/GaN HEMT 특성   이종민   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2020, pp.488-489
학술지
2020 A Study on the Behavior of Gate Recess Etch by Photoresist Openings on Ohmic Electrode in InAlAs/InGaAs mHEMT Devices   민병규   한국물리학회, v.77 no.2, pp.122-126 0 원문
학술지
2020 W-Band MMIC를 위한 T-형태 게이트 구조를 갖는 MHMET 소자 특성   이종민   전기전자재료학회논문지, v.33 no.2, pp.99-104 원문
학술대회
2020 X-band Microstrip Isolator for Aircraft/Ship Radar Application   안호균   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.1-1
학술대회
2020 0.13μm SiGe HBT를 이용한 94 GHz PA MMIC 설계   김성일   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.797-797
학술대회
2020 W-band Image Rejection Mixer Using GaAs 0.1 m MHEMT Process   장우진   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.785-785
학술대회
2020 75~110 GHz Resistive Mixer MMIC with 6.5~7.5 dB Conversion Loss   장우진   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.791-791
학술대회
2020 Ohmic Contacts with Recess-etched and TMAH-treated Nanometer-scale Patterns for Improved Performance and Reliability in AlGaN/GaN HEMTs   정현욱   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.790-790
학술대회
2020 Thermal Behavior of AlGaN/GaN-based Schottky Barrier Diode on Diamond and Silicon Substrate   김진식   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.783-783
학술지
2020 벌집 구조의 나노 채널을 이용한 다중 Fin-Gate GaN 기반 HEMTs의 제조 공정   김정진   전기전자재료학회논문지, v.33 no.1, pp.16-20
학술지
2019 Improvement of Proton Radiation Hardness Using ALD-Deposited Al2O3 Gate Insulator in GaN-Based MIS-HEMTs   장성재   ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.8 no.12, pp.245-248 5 원문
학술대회
2019 AlGaN/GaN 이종 접합 구조의 게이트 영역 미세 조절 리세스를 이용한 상시 불통형 전계 효과 트랜지스터   김진식   대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2019, pp.215-218
학술대회
2019 64 GHz/50 dBOhm Trans-Impedance Amplifier Design Using Gain-Peaking Inductor for Bandwidth Enhancement   장우진   대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2019, pp.115-118
학술지
2019 차세대 GaN RF 전력 증폭 소자 및 집적 회로 기술 동향   이상흥   전자통신동향분석, v.34 no.5, pp.71-80 원문
학술지
2019 2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100 nm mHEMT 소자의 DC 및 RF 특성   윤형섭   한국전자파학회논문지, v.30 no.4, pp.282-285 원문
학술대회
2019 Ka-band GaN MMIC Power Amplifier for SG Communication Sysems   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2019, pp.627-627
학술대회
2019 L 대역 응용에 최적화된 100W 정합형 GaN 전력 증폭기   김학성   한국전자파학회 학술 대회 (동계) 2019, pp.218-218
학술대회
2018 2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100nm mHEMT소자의 DC/RF 특성   윤형섭   한국전자파학회 학술 대회 (추계) 2018, pp.106-106
학술대회
2018 W-대역 GaAs MMIC 저잡음 증폭기 설계   강동민   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2018, pp.368-368
학술대회
2018 A 20~32 GHz GaN Power Amplifier MMIC Using Lange Couplers for Wideband Operation   장우진   대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2018, pp.119-122
학술대회
2018 Breakdown and Power Characteristics of GaN HEMTs with a Variation of Device Dimensions for S-band Applications   이종민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.667-667
학술대회
2018 28GHz MMIC Power Amplifier based on 0.15um GaN HEMT Technology   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.1-1
학술대회
2018 GaN MMIC를 위한 후면 비어의 RF 모델링   이상흥   한국통신학회 종합 학술 발표회 (동계) 2018, pp.715-716
학술대회
2017 Current Status of ETRI's GaN Power Device Technology   문재경   International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 차세대 고출력 레이더용 GaN 전력 소자 및 증폭기 기술   문재경   함정기술.무기체계 세미나 2017, pp.1-1
학술대회
2017 Development of a 0.15 μm GaN HEMT MMIC Process   김해천   Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS) 2017, pp.1-2
학술지
2017 Characterization of 0.18-μm Gate Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing   윤형섭   Journal of the Korean Physical Society, v.71 no.6, pp.360-364 1 원문
학술대회
2017 C-대역 30W급 질화갈륨 기반 내부 정합형 전력 증폭기   강동민   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1
학술대회
2017 X-대역 5W GaN 전력 증폭기 MMIC 설계 및 제작   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2017, pp.289-289
학술대회
2017 디지털 게이트 리세스 공정으로 제작한 AlGaN/GaN HEMT 소자의 DC/RF 특성   윤형섭   한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1
학술지
2017 Fin-Width Effects on Characteristics of InGaAs-Based Independent Double-Gate FinFETs   장성재   IEEE Electron Device Letters, v.38 no.4, pp.441-444 12 원문
학술지
2017 ETRI 0.25 μm GaN MMIC 공정 및 X-대역 전력 증폭기 MMIC   이상흥   한국전자파학회논문지, v.28 no.1, pp.1-9 원문
학술지
2016 Microwave Low-Noise Performance of 0.17 μm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC With Wide Head Double-Deck T-Shaped Gate   윤형섭   IEEE Electron Device Letters, v.37 no.11, pp.1407-1410 14 원문
학술대회
2016 Design of a Low Temperature Co-fired Ceramics (LTCC) based Antenna with Broadband and High Gain at 60GHz Bands   김동영   International Conference on Consumer Electronics (ICCE) 2016 : Asia, pp.156-158 0 원문
학술지
2016 Effect of Fluoride-based Plasma Treatment on the Performance of AlGaN/GaN MISHFET   안호균   ETRI Journal, v.38 no.4, pp.675-684 3 원문
학술대회
2016 Characterization of 0.18 μm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing   윤형섭   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Threshold Voltage Shift of 0.2 μm AlGaN/GaN MISHFET with Fluorinated Gate Dielectric   안호균   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Surface Treatment for Recessed Gate and its Effects on the Performance of Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs   도재원   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Characterization of GaAs-based MIM Capacitor up to 50 GHz   이상흥   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Influence of Silicon Nitride Layer on MIM Capacitor for MMIC   신민정   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Characteristics of Enhanced-mode AlGaN/GaN MIS HEMTs for Millimeter Wave Applications   이종민   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 The Characterization of High Power Density 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs for Their MMIC   김해천   Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE) 2016, pp.W17-W18
학술대회
2016 77GHz 대역 차량 레이더용 유전체 공진기 기반 어레이 안테나 설계   김동영   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.291-291
학술대회
2016 ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 6 W 전력 증폭기 MMIC   이상흥   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.1-3
학술대회
2016 X-밴드 응용 분야를 위한 GaN HEMT 모델링   김성일   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.2557-2560
학술대회
2016 ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 C-대역 5 W 전력 증폭기 MMIC   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.168-169
학술대회
2016 50W 출력 전력 특성을 갖는 0.25um GaN-on-SiC HEMT   강동민   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.325-328
학술대회
2016 AlGaN/GaN Power HEMTs for Next Generation Radar Systems   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 X-band 5W AlGaN/GaN HEMT Power MMICs   김성일   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1
학술대회
2016 Temperature Dependence of Current-voltage Characteristics of Packaged AlGaN/GaN HEMT on SiC Substrate   이종민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-2
학술지
2016 Substrate Embedded Low Temperature Co-Fired Ceramics Antenna with Wide Beamwidth and High Gain at Millimetrewave Band   김동영   Electronics Letters, v.52 no.2, pp.98-100 1 원문
학술지
2016 0.25 μm AlGaN/GaN HEMT 소자 및 9 GHz 대역 전력 증폭기   강동민   한국전자파학회논문지, v.27 no.1, pp.76-79 원문
학술대회
2015 X-Band 0.2 μm AlGaN/GaN MISFET with SiN-Assisted Double-Deck T-Shaped Gate Structure   안호균   International Conference on Advanced Materials and Devices (ICAMD) 2015, pp.1-1
학술대회
2015 0-30 GHz GaN MIM 커패시터 모델링   이상흥   한국전자파학회 종합 학술 대회 2015, pp.89-89
학술지
2015 DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Gate Recessed by Using ICP Etching of BCl3/Cl2   윤형섭   한국물리학회, v.67 no.4, pp.654-657 2 원문
학술대회
2015 밀리미터파대역 거리 측정 레이더용 평판형 렌즈 안테나 설계   김동영   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.1-1
학술대회
2015 50W GaN RF HEMT를 이용한 9.2 - 9.5GHz 전력 증폭기   강동민   한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.1-1
학술지
2015 Characteristics of a Field Plate Connected to T-shaped Gate in AlGaN/GaN HEMTs   조규준   한국물리학회, v.67 no.4, pp.682-686 3 원문
학술지
2015 Fabrication and Electrical Properties of an AlGaN/GaN HEMT on SiC with a Taper-Shaped Backside Via Hole   민병규   한국물리학회, v.67 no.4, pp.718-722 1 원문
학술대회
2015 40W GaN-on-SiC HEMT 소자를 이용한 X-대역 전력증폭기   강동민   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.231-234
학술대회
2015 AlGaN/GaN HEMT 소자 제작에서 게이트 리세스 공정 개선에 의한 소자 DC 특성의 변화   민병규   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.192-195
학술대회
2015 Wide Head T-Shaped Gate Process for Low-Noise AlGaN/GaN HEMTs   윤형섭   International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH) 2015, pp.363-366
학술대회
2015 GaN High Power Devices and Their Applications   문재경   The Electrochemical Society (ECS) Meeting 2015 (ECS Transactions 66), v.66 no.1, pp.79-83 0 원문
학술대회
2015 Low-Noise Microwave Performance of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Wide Head T-Shaped Gate   윤형섭   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2015, pp.191-191
학술대회
2015 X-band 40W Pulsed Power Amplifier using 0.2um AlGaN/GaN HEMT   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2015, pp.192-192
학술지
2015 X-Band 100 W Solid-State Power Amplifier Using a 0.25 μM GaN HEMT Technology   강동민   Microwave and Optical Technology Letters, v.57 no.1, pp.212-216 5 원문
학술대회
2014 L/S-Band 0.5 μm AlGaN/GaN MISFET including SiN-Assisted T-Gate Structure   안호균   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.70-70
학술대회
2014 DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Recessed Gate by ICP Etching of BCl3/SF6   윤형섭   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.81-81
학술대회
2014 100W Pulsed SSPA Using 25W AlGaN/GaN HEMT Technology at 9.2 - 9.5 GHz   강동민   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.75-75
학술대회
2014 Characteristics of a Field Plate Connected to T-shaped Gate in AlGaN/GaN HEMTs   조규준   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.131-131
학술대회
2014 LTCC 기반 60GHz 대역 광대역 유전체 공진기 안테나 설계   김동영   한국전자파학회 종합 학술 발표회 2014, pp.1-1
학술대회
2014 LTCC 기반 밀리미터파 대역 패치 안테나 설계   김동영   한국전자파학회 종합 학술 발표회 (하계) 2014, pp.1-1
학술지
2014 Normally-Off Dual Gate AlGaN/GaN MISFET with Selective Area-Recessed Floating Gate   안호균   Solid-State Electronics, v.95, pp.42-45 14 원문
학술대회
2014 Pt 기반의 쇼트키 접촉을 갖는 AlGaN/GaN HEMTs on SiC 의 특성   윤형섭   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2014, pp.1-1
학술지
2014 Directly Modulated Tunable External Cavity Laser Transmitter Optical Sub-Assembly   윤기홍   IEEE Photonics Technology Letters, v.26 no.1, pp.47-49 9 원문
학술지
2013 Design of Patch Antenna on LTCC Substrate with Broadband and High Gain at Millimetre Wave Band   김동영   Electronics Letters, v.49 no.25, pp.1590-1591 1 원문
학술대회
2013 LTCC기반 밀리미터파 대역 광대역 고이득 패치 안테나 설계   김동영   한국전자파학회 종합 학술 발표회 2013, pp.1-1
학술지
2013 Fabrication of Enhancement-Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using Double Plasma Treatment   임종원   Thin Solid Films, v.547, pp.106-110 9 원문
학술대회
2013 Gate-Connected Field Plate를 포함하는 Normally-off AlGaN/AlN/GaN MISFET 특성 연구   안호균   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2013, pp.1843-1844
학술대회
2013 X-Band 용 30W AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성   김성일   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 S-Band 170W Pulsed SSPA Using 30W GaN-on-Si RF Power HEMT   강동민   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술대회
2013 Packaged AlGaN/GaN HEMT with 100 W Output Power at 3 GHz   임종원   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
학술지
2012 차세대 고효율/고출력 반도체: GaN 전력 소자 연구 개발 현황   문재경   전자통신동향분석, v.27 no.4, pp.96-106 원문
학술지
2012 80-110 GHz MMIC Amplifiers Using a 0.1-μm GaAs-Based mHEMT Technology   강동민   Microwave and Optical Technology Letters, v.54 no.8, pp.1978-1982 1 원문
학술대회
2012 X-band용 6W AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성   김성일   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2012, pp.381-382
학술대회
2012 Packaged GaN HEMT Power Bar with 17 W Output Power at 3 GHz   장우진   한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2012, pp.1-2
학술대회
2010 S/X-band용 AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성   장우진   대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2010, pp.1984-1987
학술대회
2009 0.1㎛ GaAs mHEMT 기술을 이용한 90 - 110 GHz MMIC Amplifier   강동민   군수용 초고주파부품 워크샵 2009, pp.1-1
학술지
2008 A Transceiver Module for Automotive Radar Sensors using W-band MMIC One-chip Set   강동민   Microwave and Optical Technology Letters, v.50 no.9, pp.2371-2376 0 원문
학술지
2007 전방 감지용 밀리미터파 레이더 기술 동향   홍주연   전자통신동향분석, v.22 no.5, pp.35-45 원문
학술대회
2007 Characteristics of 80 nm T-Gate Metamorphic HEMTx with 60 % Indium Channel   윤형섭   International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2007, pp.110-113 0 원문
학술지
2007 Gate Recess Process for 80-nm T-Shaped Gate Metamorphic HEMTs on GaAs Substrates   윤형섭   Journal of the Korean Physical Society, v.50 no.3, pp.889-892 4 원문
학술대회
2006 80nm T-Shaped Gate Metamorphic HEMTs Fabricated Using Two-Step Gate Recess Process   윤형섭   International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2006, pp.954-955 원문
학술대회
2006 A W-band MMIC Chip Set Fabricated by a GaAs MHEMT Technology   강동민   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2006, pp.1-1
학술대회
2006 Gate Recess Process for 80 nm T-shaped Gate Metamorphic HEMTs on GaAs Substrate   윤형섭   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2006, pp.1-1
학술대회
2006 50㎚ E-Beam Lithography Process using a Bilayer Resist Structure for Nano T-gate MHEMTs   심재엽   International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2006, pp.1-1
학술지
2006 Extremely Low Noise Characteristics of 0.15μm Power Metamorphic High-Electron-Mobility Transistors   심재엽   Japanese Journal of Applied Physics, v.45 no.4B, pp.3380-3383 2 원문
학술대회
2006 A 77GHz GaAs mHEMT MMIC Transceiver Module for Automotive Radar Sensor   강동민   한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2
학술대회
2006 Fabrication of Low Noise Amplifier using 0.15 um Power Metamorphic HEMT and It’s Noise Characteristics   심재엽   한국반도체 학술 대회 (KCS) 2006, pp.1-2
학술지
2005 지능형 순항 제어 시스템 시장 전망 및 업계 개요   이경호   전자통신동향분석, v.20 no.6, pp.24-35 원문
학술지
2005 DC and RF Characteristics of 0.15 μm Power Metamorphic HEMTs   심재엽   ETRI Journal, v.27 no.6, pp.685-690 4 원문
학술대회
2005 A 77GHz Automotive Radar MMIC Chip Set Fabricated by a 0.15μm MHEMT Technology   강동민   IEEE MTT-S International Microwave Symposium 2005, pp.2111-2114 16 원문
학술지
2005 A 77 GHz mHEMT MMIC Chip Set for Automotive Radar Systems   강동민   ETRI Journal, v.27 no.2, pp.133-139 10 원문
학술대회
2003 Single Supply, High Linearity, High Efficient PHEMT Power Devices and Amplifier for 2 GHz & 5 GHz WLAN Applications   박민   European Microwave Conference (EuMC) 2003, pp.371-374 9 원문
학술대회
2003 A 2-stage 5GHz-band MMIC Power Amplifier for WLAN using a 0.5um PHEMT Process   강동민   International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC) 2003, pp.693-695
학술대회
2002 0.2um PHEMT를 이용한 Q-band MMIC 증폭기   강동민   한국통신학회 종합 학술 발표회 (하계) 2002, pp.283-286
학술대회
2002 60GHz 무선 LAN 시스템을 위한 60GHz 전력 증폭기 모듈 제작   장우진   한국통신학회 종합 학술 발표회 (하계) 2002, pp.1302-1305
학술대회
2002 A 3-stage Wideband Q-band Monolithic Amplifier for WLAN   강동민   International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC) 2002, pp.1056-1059