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학술대회 Surface Passivation Oxide Study of 4H-SiC Bipolar Junction Transistors
Cited - time in scopus Download 1 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
이형석, Martin Domeij, Carl-Mikael Zetterling, Mikael Ostling, 고상춘, 남은수
발행일
201502
출처
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2015, pp.193-193
협약과제
14MB1200, 스마트 데이터센터용 차세대 광-전 모듈 기술, 남은수
KSP 제안 키워드
4H-SiC, Surface passivation, bipolar junction transistor